鑫台灣財經網／顏瑞田／高雄報導
台灣設備新創銥鐠鎷科技自主研發的微波電漿增強原子層沉積系統（Microwave Plasma‑Enhanced ALD），已完成多項專利布局，並正式從學研端跨入產業驗證階段。公司預期，該技術將在未來兩年內導入半導體、光學鏡頭與先進封裝產線，有望切入全球約 200 億美元規模的原子層沉積設備市場。
銥鐠鎷科技執行長連水養表示，微波電漿 ALD 與傳統射頻電漿（RF Plasma）相比，具備更高電漿密度、沉積速率更快、製程溫度更低等優勢，可在更細微的結構中，形成均勻薄膜。
銥鐠鎷科技2日南下高雄科技大學建工校區，參加「台灣鍍膜科技協會年會暨國科會專題計畫研究成果發表會」，連水養在展攤受訪時指出，微波電漿能在低溫條件下，產生高密度電漿，沉積效率比射頻電漿更高，對於先進封裝與光學鏡頭的奈米級深溝結構，是目前市場上最具突破性的技術。
原子層沉積需求快速擴大：從晶圓製程延伸至光學與封裝
原子層沉積（ALD）技術過去主要應用於晶圓製程中的高介電材料與阻障層，但，隨著晶片微縮與封裝技術演進，ALD 的應用範圍快速擴大，包括先進封裝（Chiplet、2.5D/3D IC、Hybrid Bonding）、光學鏡頭（手機、車用、AR/VR）、光電顯示（Micro‑LED、OLED）、以及能源材料（電池、太陽能）。
連水養指出，微波電漿 ALD 的低溫特性與高均勻性，使其特別適合光學鏡頭與 AR/VR 模組的高寬深比結構鍍膜需求。他表示，光學鏡頭的反射、眩光控制愈來愈嚴格，傳統蒸鍍與濺鍍已無法滿足新世代光學要求。
傳統鍍膜遇瓶頸：高寬深比結構需 ALD 才能完整覆蓋
銥鐠鎷科技公司技術長吳金龍指出，未來晶圓封裝將大量依賴光學傳輸，而玻璃基材上的奈米級深溝結構，是新世代封裝的核心。然而傳統鍍膜方式在高寬深比（High Aspect Ratio）結構中，無法均勻覆蓋，已成為產業瓶頸。
他解釋：「傳統蒸鍍或濺鍍只能在表面堆疊，無法深入側壁與底部。只有原子層沉積能以原子反應方式逐層沉積，完整覆蓋深溝結構。」吳金龍強調，ALD 能沉積數百層薄膜並保持均勻性，對光學鏡頭、AR/VR、車用鏡頭與先進封裝都具備高度必要性。
產品線完整布局：從學研到量產
連水養表示，銥鐠鎷科技目前推出三大產品線：
- 桌上型 TALD 系統（100 萬元以內）：面向大學與研究機構，體積小、價格低，適合材料研究與薄膜開發。
- 中型 ALD 系統（約 300–400 萬元）：用於光電、太陽能等中型面積沉積，適合新材料驗證與小量試產。
- 大型微波電漿 ALD 系統（逾 1,000 萬元）：面向半導體、光學鏡頭與先進封裝量產端，具備高均勻性、高沉積速率與低溫製程，是公司主力攻入產業界的旗艦設備。
連水養指出，設備已在多所大學與研究機構進行驗證，並與多家高科技企業合作導入測試，但因涉及新技術與保密協議，暫不公開合作名單。
專利布局：台灣、中國已核准，美國審查中
他說，銥鐠鎷科技目前已取得台灣與中國大陸發明專利，美國專利正在審查中，而美國專利是全球設備市場的關鍵門票，取得後將能更有效保護技術並拓展海外市場，因為，微波電漿 ALD 在中國、美國、台灣都還沒有同類產品。「我們是第一家做出可商用設備的公司，專利是我們的核心競爭力。」
產業驗證期長達兩年：新創設備的挑戰與機會
半導體設備導入量產線需經過嚴格驗證，通常需兩年時間。設備必須在長期運作中保持穩定性、均勻性與製程重複性，才能獲得晶圓廠認可。連水養表示，新設備要先經過學研端驗證，再進入產業端做長期測試。這是必要的過程，但也代表一旦通過驗證，設備就能在產線長期使用。
展望：台灣設備新創的全球化機會
連水養指出，若微波電漿 ALD 能成功取代射頻電漿，將改寫原子層沉積設備市場格局，並可能成為下一世代薄膜技術的主流，銥鐠鎷科技未來將擴大設備量產能力，並加速美國專利申請與海外市場布局。公司預期，微波電漿 ALD 將率先落地於光學鏡頭大廠、先進封裝企業與 AR/VR 製造商。
連水養強調：「我們的目標不是做一台設備，而是建立新世代沉積技術的標準。微波電漿 ALD 將成為未來十年的主流技術。」
